A Samsung tömegesen gyártja az iparág legkisebb DDR5 DRAM-ját – jelentette be kedden a vállalat.
Az új 14 nm-es EUV DDR5 DRAM mindössze 14 nanométeres, és öt réteg extrém ultraibolya (EUV) technológiát kínál. Akár 7,2 gigabit/s sebességet is elérhet, ami több mint kétszerese a DDR4 sebességének. A Samsung azt is állítja, hogy az új EUV technológiája a legnagyobb bitsűrűséget biztosítja a DDR5 DRAM számára, miközben 20%-kal növeli a termelékenységet és 20%-kal csökkenti az energiafogyasztást.
Az EUV egyre fontosabbá válik, mivel a DRAM mérete folyamatosan csökken. Segít javítani a mintázási pontosságot, ami a nagyobb teljesítményhez és nagyobb hozamhoz szükséges – mondta a Samsung. A 14 nm-es DDR5 DRAM extrém miniatürizálása nem volt lehetséges a hagyományos argon-fluorid (ArF) gyártási módszer alkalmazása előtt, és a vállalat reméli, hogy az új technológiája segít kielégíteni a nagyobb teljesítmény és kapacitás iránti igényt olyan területeken, mint az 5G és a mesterséges intelligencia.
A Samsung bejelentette, hogy egy 24 GB-os 14 nm-es DRAM chipet szeretne létrehozni, hogy megfeleljen a globális IT-rendszerek igényeinek. Azt is tervezi, hogy 14 nm-es DDR5-portfólióját bővíti az adatközpontok, szuperszámítógépek és vállalati szerveralkalmazások támogatására.
